在這種情況下，各方面都在對這部分市場份額虎視眈眈。據稱，韓國政府已向美國進行協商，要求白宮方面允許三星、SK 將在中國的半導體產量提高到 10%。同時，一位美國立法者堅持要求韓國公司不要填補美光因制裁而留下的市場空白，意在阻止三星電子和 SK 海力士從中獲利。
據美國聯邦公報，韓國政府于 3 月 21 日就美國商務部公布的《半導體法》“護欄條款”細節提交了官方意見。在提交意見之前，它與韓國芯片制造商進行了密切協商，要求美國政府將接受補貼的韓國公司提高其在中國半導體生產能力的限額提高到 10%。
在此背景下，韓國還要求美國政府明確“技術補償條款”的限制范圍。簡單來說，“技術補償條款”規定：如果與中國等受關注的實體開展聯合研究活動，并向其提供技術許可，就必須返還補貼。
美國商務部提出的“護欄規則”要求，如果獲得政府補貼的公司在未來 10 年內參與實質性擴大中國等受關注的外國實體的半導體生產能力的重大交易，就必須全額退還補貼。
具體來說，先進半導體的實際產能限制在 5%，傳統半導體產能為 10%。目前，半導體業界一般將 12 ~ 14nm 制程的 DRAM 和 170 層以上的 3D NAND 閃存稱為先進芯片，而三星電子和 SK 海力士的工廠正在生產這兩種產品。
對此，韓國政府要求將先進半導體產能實際擴大標準從 5% 提高到 10%。
韓國政府還要求美國政府明確“技術補償條款”的范圍。“技術補償條款”是指：與中國企業進行共同研究或向中國企業提供技術許可時，必須返還補貼。此外，韓國政府還要求美國政府在審查過程中不要要求企業提供敏感的技術及機密信息和數據，并與半導體企業簽署保密協議。
