4F Square 是一種單元結構技術,DRAM 行業早在 10 年前就嘗試商業化,但最后以失敗告終。
三星組建了專業的團隊,研發 4F²結構。IT之家從韓媒報道中獲悉,晶體管根據電流流入和流出的方向,形成源極(S)、柵極(G)和漏極(D)整套系統。
在漏極(D)上方安裝一個存儲電荷的電容器,晶體管和水平排列的 WL 線和垂直排列的 BL 線接觸,其中 WL 連接到柵極(G),負責晶體管的開 / 關;而 BL 連接到源極(S),負責讀取和寫入數據。
4F Square 是一種單元結構技術,DRAM 行業早在 10 年前就嘗試商業化,但最后以失敗告終。
三星組建了專業的團隊,研發 4F²結構。IT之家從韓媒報道中獲悉,晶體管根據電流流入和流出的方向,形成源極(S)、柵極(G)和漏極(D)整套系統。
在漏極(D)上方安裝一個存儲電荷的電容器,晶體管和水平排列的 WL 線和垂直排列的 BL 線接觸,其中 WL 連接到柵極(G),負責晶體管的開 / 關;而 BL 連接到源極(S),負責讀取和寫入數據。