5 月 26 日消息：根據韓媒 The Elec 報道，三星組建了一支專業的團隊，負責開發 4F² DRAM 存儲單元結構。相比較現有的 6F² 級別，在不改變工藝節點的情況下，芯片面積最高可減少 30%。

　　4F Square 是一種單元結構技術，DRAM 行業早在 10 年前就嘗試商業化，但最后以失敗告終。

　　三星組建了專業的團隊，研發 4F²結構。IT之家從韓媒報道中獲悉，晶體管根據電流流入和流出的方向，形成源極(S)、柵極(G)和漏極(D)整套系統。

　　在漏極(D)上方安裝一個存儲電荷的電容器，晶體管和水平排列的 WL 線和垂直排列的 BL 線接觸，其中 WL 連接到柵極(G)，負責晶體管的開 / 關;而 BL 連接到源極(S)，負責讀取和寫入數據。