集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環節，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內晶體管的數量，是集成電路制造的關鍵技術之一。
隨著半導體工藝向7nm及以下節點的推進，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術。
相關技術的EUV光刻機中采用強相干光源在進行光刻時，相干光經照明系統分割成的多個子光束具有固定的相位關系，當這些子光束投射在掩膜版上疊加時會形成固定的干涉圖樣，出現有明暗變化、光強不均勻的問題，因此，必須先進行去相干處理(或者采用避免相干影響)，達到勻光效果，以保證光刻工藝的正常進行。
據披露，該專利申請提供一種反射鏡、光刻裝置及其控制方法，涉及光學領域，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎上進行了優化，進而達到勻光的目的。
該光刻裝置包括相干光源1、反射鏡2(也可以稱為去相干鏡)、照明系統3.其中，反射鏡2可以進行旋轉;例如，可以在光刻裝置中設置旋轉裝置，反射鏡2能夠在旋轉裝置的帶動下發生旋轉，如下圖所示。
在該光刻裝置中，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2的反射后，通過照明系統3分割為多個子光束并投射至掩膜版4上，以進行光刻。
另外，在光刻裝置中，上述照明系統3作為重要組成部分，其主要作用是提供高均勻性照明(勻光)、控制曝光劑量和實現離軸照明等，以提高光刻分辨率和增大焦深。述照明系統3的勻光功能可以是通過科勒照明結構實現。
該照明系統3包括視場復眼鏡31(field flyeye mirror，FFM)、光闌復眼鏡 32(diaphragm flyeye mirror，PFM)、中繼鏡組33;
其中，中繼鏡組33通?？梢园▋蓚€或者兩個以上的中繼鏡。照明系統3通過視場復眼鏡31將來自相干光源 1 的光束分割成多個子光束，每個子光束再經光闌復眼鏡32進行照射方向和視場形狀的調整，并通過中繼鏡組33進行視場大小和 / 或形狀調整后，投射到掩膜版4的照明區域。
通過在相干光源1與照明系統3之間的光路上設置反射鏡2.在此情況下，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2反射后相位不斷發生變化。
這樣一來，在經反射鏡2反射后的光線通過照明系統3分割為多個子光束并投射至掩膜版4上時，形成在掩膜版4的照明區域的干涉圖樣不斷變化，從而使得照明視場在曝光時間內的累積光強均勻化，從而達到勻光的目的，進而也就解決了相關技術中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。
