IGBT行業的門檻非常高，除了芯片的設計和生產，IGBT模塊封裝測試的開發和生產等環節同樣有著非常高的技術要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。
該模塊能推動新能源汽車電氣架構從400V到800V的迭代，從而實現10分鐘充電80%，并進一步提升車輛續航里程，降低整車成本。
同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項目也在加速推進中，據悉，該項目一方面優化現有產線，提高IGBT模塊產量，另一方面開辟兩條全新產線，按訂單需求生產IGBT模塊及碳化硅功率模塊，到2025年，每年可為東風新能源汽車生產提供約120萬只功率模塊。
作為電力電子行業里的“CPU”，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是國際上公認的電子革命中最具代表性的產品，將多個 IGBT 芯片集成封裝在一起形成 IGBT 模塊，其功率更大、散熱能力更強，在新能源汽車領域發揮著極為重要的功用和影響。
為突破封鎖，實現IGBT核心資源自主掌控，2019年，東風公司與中國中車攜手，成立智新半導體有限公司，開始自主研發、生產車規級IGBT模塊，歷時兩年，在2021年7月，年產30萬只的IGBT生產線在武漢市東風新能源汽車產業園正式投產，這也是國內首條IGBT模塊全自動化封測流水線。
不僅如此，東風充分發揮央企優勢，打造汽車產業鏈“鏈長”，攜手“朋友圈”展開布局：與中國信科合作，共建汽車芯片聯合實驗室，推進車規級MCU芯片在漢落地，預計2024年實現量產;與中芯國際合作，完成設計首款MCU芯片，其功能性能指標達到國際領先水平。
此外，東風公司還牽頭9家企業、高校、科研機構，共同組建湖北省車規級芯片產業技術創新聯合體，從研發到生產，拉動組建國內領先的汽車芯片產業鏈。
