三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 納米級（SF3）工藝的基礎上進一步優化的。與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和復雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和復雜度下提高 12% 的性能，在相同的性能和復雜度下減少 5% 的面積。為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列先進的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。
繼 SF2 之后，三星將在 2026 年推出針對高性能計算（HPC）優化的 SF2P，以及于 2027 年推出針對汽車應用優化的 SF2A 工藝。同樣在 2027 年，該公司還計劃開始使用 SF1.4（1.4 納米級）制造工藝進行量產。三星的 2 納米級工藝將與臺積電的 N2（2 納米級）工藝大致同步，比英特爾的 20A 工藝晚一年左右。
注意到，除了不斷提升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼續發展其射頻技術。該公司預計其 5 納米射頻工藝技術將于 2025 年上半年準備就緒，與舊版 14 納米射頻工藝相比，三星的 5 納米射頻預計可以提高 40% 的功耗效率，提高約 50% 的晶體管密度。此外，三星還將于 2025 年開始生產氮化鎵（GaN）功率半導體，用于消費品、數據中心和汽車領域等各種應用。
在擴大技術供應方面，三星代工仍然致力于擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的制造能力。三星計劃于 2023 年下半年在其平澤 3 號生產線（P3）開始量產芯片。泰勒市新建廠房預計將于今年年底完工，并于 2024 年下半年開始運營。三星目前的計劃是到 2027 年將其潔凈室容量比 2021 年增加 7.3 倍。
